Herleitung: Plattenkondensator aus dem Gauß-Satz

Ergebnis (verwendet in Teil 5: Kondensator und Dielektrika):

\[C = \varepsilon_0\varepsilon_r\,\frac{A}{d}\]

Voraussetzungen

Schritt 1: Das Feld aus dem Gauß-Satz

Der Gauß'sche Satz verknüpft den Fluss durch eine geschlossene Fläche mit der eingeschlossenen Ladung:

\[\oint \vec E \cdot \mathrm{d}\vec A = \frac{Q_{\text{innen}}}{\varepsilon_0}\]

Als Hüllfläche wählen wir eine flache Dose, die eine Platte umschließt: eine Deckfläche \(A\) im feldfreien Innern des Leiters, die andere im Zwischenraum, die Mantelfläche parallel zu \(\vec E\).

Hier erledigt die Symmetrie das Integral: Das Feld ist auf der Hülle konstant, also wird aus dem Integral eine Multiplikation. Wie es aussieht, wenn das nicht gelingt und ein echtes Integral stehen bleibt, zeigt das Koaxialkabel durchgerechnet.

Damit trägt nur eine Deckfläche zum Integral bei -- im Leiter ist \(\vec E = 0\), und durch den Mantel geht kein Fluss, weil dort \(\vec E \perp \mathrm{d}\vec A\) steht. Mit der Flächenladungsdichte \(\sigma = Q/A\) bleibt:

\[E \cdot A = \frac{\sigma A}{\varepsilon_0} \qquad\Rightarrow\qquad E = \frac{\sigma}{\varepsilon_0} = \frac{Q}{\varepsilon_0 A}\]

Schritt 2: Von der Feldstärke zur Spannung

Die Spannung ist das Wegintegral des Feldes von einer Platte zur anderen. Weil \(\vec E\) homogen ist und parallel zum Weg liegt, wird daraus eine Multiplikation:

\[U = \int_0^d \vec E \cdot \mathrm{d}\vec s = E\,d = \frac{Q\,d}{\varepsilon_0 A}\]

Schritt 3: Die Kapazität

Kapazität ist definiert als Ladung pro Spannung, und das \(Q\) kürzt sich heraus:

\[C = \frac{Q}{U} = \frac{Q}{\dfrac{Q d}{\varepsilon_0 A}} = \varepsilon_0\,\frac{A}{d}\]

Dass \(Q\) verschwindet, ist der eigentliche Punkt: Die Kapazität ist eine reine Geometrieeigenschaft. Sie sagt, wie viel Ladung pro Volt hineinpasst, unabhängig davon, wie viel gerade drin ist.

Schritt 4: Das Dielektrikum

Ein Isolator im Feld polarisiert sich -- die gebundenen Ladungen verschieben sich und erzeugen ein Gegenfeld. Das Feld im Innern sinkt dadurch um den Faktor \(\varepsilon_r\):

\[E = \frac{Q}{\varepsilon_0\varepsilon_r A}\]

Bei gleicher Ladung ist die Spannung also kleiner, und damit die Kapazität größer:

\[C = \varepsilon_0\varepsilon_r\,\frac{A}{d}\]

Zugabe: die Feldenergie

Beim Laden muss jede weitere Ladungsportion gegen die schon vorhandene Spannung geschoben werden. Mit \(u = q/C\) ergibt die Integration:

\[W = \int_0^Q \frac{q}{C}\,\mathrm{d}q = \frac{Q^2}{2C} = \frac{1}{2}\,C\,U^2\]

Setzt man \(C = \varepsilon_0 A/d\) und \(U = E d\) ein, wird daraus:

\[W = \frac{1}{2}\,\varepsilon_0\,\frac{A}{d}\,(E d)^2 = \frac{1}{2}\,\varepsilon_0 E^2 \cdot \underbrace{A\,d}_{\text{Volumen}}\]

Die Energie ist also proportional zum Volumen zwischen den Platten. Pro Kubikmeter:

\[w = \frac{1}{2}\,\varepsilon_0\varepsilon_r E^2\]

Das ist der rechnerische Beleg für die Aussage aus Teil 5: Die Energie sitzt im Feld, nicht auf den Platten. Die exakte Entsprechung auf der magnetischen Seite steht in der Herleitung der Spuleninduktivität.

Weiterführendes


Erstellt: 17.08.2026 · Zuletzt geändert: 23.08.2026