1N5229B — Zenerdiode 4,3 V
Steckbrief aus der Bauteile-Bibliothek. Theorie dazu: Der pn-Übergang und Tunneleffekt.
Zenerdioden betreibt man absichtlich in Sperrrichtung im Durchbruch — dort halten sie eine Spannung annähernd konstant. Die 1N5229B ist die 4,3-V-Type der 1N52xx-Reihe, das B im Namen steht für die Toleranzklasse ±5 %.
Steckbrief
| Funktion | Zenerdiode, Spannungsbegrenzung/-referenz |
| Gehäuse | DO-35, bedrahtet |
| Nennspannung \(U_Z\) | 4,3 V ±5 % bei 20 mA |
| Verlustleistung | 500 mW |
| Zener-Widerstand \(r_Z\) | ~22 Ω bei 20 mA |
| Temperaturkoeffizient | leicht negativ (unter 5 V dominiert der Zener-Effekt) |
Kathode = Ring — und sie kommt an Plus, anders als bei jeder normalen Diode. Angaben ohne Gewähr — verbindlich ist das Datenblatt.
Selbst gemessen: das weiche Knie
Durchbruchbereich, gemessen mit der NGU411-SMU.
| Sperrstrom | gemessene Spannung |
|---|---|
| 1 mA | 3,34 V |
| 5 mA | 3,97 V |
| 20 mA (Nennpunkt) | 4,3 V laut Datenblatt |
Das ist die wichtigste Erkenntnis dieser Messung: Unterhalb des Nennstroms hält die Diode ihre Nennspannung nicht. Bei 1 mA fehlt fast ein volles Volt. Wer eine 4,3-V-Referenz erwartet und nur ein Milliampere durchschickt, bekommt 3,3 V.
Der Grund liegt im Mechanismus. Unter etwa 5 V dominiert der Zener-Effekt — Tunneln durch die schmale Raumladungszone —, und der setzt allmählich ein. Oberhalb von rund 6 V übernimmt der Lawinendurchbruch, der ein wesentlich schärferes Knie hat. Niedervoltige Zenerdioden sind deshalb prinzipbedingt die weicheren.
Praxisfallen
- Immer im Nennstrom betreiben. Die Spannungsangabe gilt bei einem bestimmten Strom, nicht darunter. Für eine echte Referenz sind Bandgap-ICs die bessere Wahl.
- Vorwiderstand ist Pflicht. Ohne strombegrenzenden Widerstand zerstört sich die Diode im Durchbruch selbst. Faustformel: \(R = (U_{ein} - U_Z) / I_Z\), dabei die Verlustleistung beider Bauteile prüfen.
- Nicht als Präzisionsreferenz. ±5 % Toleranz, dazu Temperaturgang und der weiche Knick — das reicht für Begrenzung und Schutz, nicht für Messtechnik.
- Rauschen. Der Durchbruch ist ein statistischer Prozess und rauscht hörbar. In empfindlichen Analogschaltungen stört das; umgekehrt baut man daraus absichtlich Rauschgeneratoren.
- Verpolung beachten. Die Kathode kommt an das positive Potential — in der Schaltung sieht das „falsch herum" aus und wird gern verwechselt.
Bezugsquellen
- Datenblatt: onsemi 1N5221B–1N5263B
- Kaufen: Reichelt · Mouser
- Messdaten: öffentlich im Repository diode-iv-measurements
Weiterführendes
- Tunneleffekt in Halbleitern — der Mechanismus hinter dem Zener-Effekt
- Der pn-Übergang — Raumladungszone und Durchbruch
- Diodenkennlinie selbst messen — der Messaufbau
- Bauteile-Bibliothek — alle Steckbriefe