Diodenkennlinie messen
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Idee
Die Diodengleichung \(I = I_0 (e^{qV/k_BT} - 1)\) sagt eine exponentielle Kennlinie vorher. Wie sieht das in der Praxis aus? Wir messen die I-V-Charakteristik verschiedener Dioden mit dem PicoScope 3406D MSO und vergleichen mit der Theorie.
Dioden zum Testen
| Diode | Typ | \(V_f\) typ. | Besonderheit |
|---|---|---|---|
| 1N4148 | Si Schaltdiode | 0.7 V | Der Klassiker, schnell, günstig |
| 1N4007 | Si Gleichrichter | 0.7 V | Langsamer, höhere Sperrspannung (1000V) |
| 1N5819 (oder BAT54) | Schottky | 0.3 V | Metall-Halbleiter statt pn, niedrigere \(V_f\) |
| BZX55C5V1 | Zener 5.1V | 0.7 V fwd | Kontrollierter Durchbruch bei 5.1V rückwärts |
| Rote LED | GaAsP/GaP | 1.8 V | Direkter Halbleiter, \(V_f \approx E_g/q\) |
| Blaue LED | InGaN | 3.0 V | Größere Bandlücke → höhere \(V_f\) |
Notizen
Messaufbau
Einfachste Methode: Widerstandsmethode mit dem PicoScope
- Signalgenerator (PicoScope AWG): Dreieck oder langsame Rampe, z.B. 0--5V
- Vorwiderstand \(R\) (z.B. 1 kΩ) in Serie mit der Diode
- Kanal A: Spannung über der Diode (\(V_D\))
- Kanal B: Spannung über dem Widerstand (\(V_R\)) → Strom \(I = V_R / R\)
- XY-Modus im PicoScope: X = \(V_D\), Y = \(I\) → direkte Kennlinie
Alternative: PicoScope Math-Kanal für \(I = (V_{gen} - V_D) / R\)
Was man sehen sollte
- 1N4148 vs. 1N4007: Beide ~0.7V, aber 4148 schärfere Kurve (weniger Rekombinationsstrom)
- Schottky vs. Si: Deutlich niedrigere Schwelle (~0.3V), aber gleiche exponentielle Form
- LED rot vs. blau: Schwelle proportional zur Bandlücke (1.8V vs. 3.0V)
- Zener rückwärts: Scharfer Durchbruch bei 5.1V, fast senkrechte Kennlinie
- Idealitätsfaktor: Aus der Steigung im halblogarithmischen Plot bestimmbar
Halblogarithmischer Plot
\(\ln(I)\) vs. \(V\) sollte eine Gerade ergeben mit Steigung \(q/(nk_BT)\). Abweichungen: - Bei niedrigen Strömen: Rekombinationsstrom (\(n \approx 2\)) - Bei hohen Strömen: Serienwiderstand (\(V\) fällt teilweise über \(R_s\) ab)
Weiterführendes
- pn-Übergang -- die Theorie dahinter
- pn-Übergang: Quantitativ -- Diodengleichung und Idealitätsfaktor
- Diskretes Transfergate -- auch mit PicoScope gemessen
Inhalt
Erstellt: 13.04.2026