Diodenkennlinie messen

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Idee

Die Diodengleichung \(I = I_0 (e^{qV/k_BT} - 1)\) sagt eine exponentielle Kennlinie vorher. Wie sieht das in der Praxis aus? Wir messen die I-V-Charakteristik verschiedener Dioden mit dem PicoScope 3406D MSO und vergleichen mit der Theorie.

Dioden zum Testen

Diode Typ \(V_f\) typ. Besonderheit
1N4148 Si Schaltdiode 0.7 V Der Klassiker, schnell, günstig
1N4007 Si Gleichrichter 0.7 V Langsamer, höhere Sperrspannung (1000V)
1N5819 (oder BAT54) Schottky 0.3 V Metall-Halbleiter statt pn, niedrigere \(V_f\)
BZX55C5V1 Zener 5.1V 0.7 V fwd Kontrollierter Durchbruch bei 5.1V rückwärts
Rote LED GaAsP/GaP 1.8 V Direkter Halbleiter, \(V_f \approx E_g/q\)
Blaue LED InGaN 3.0 V Größere Bandlücke → höhere \(V_f\)

Notizen

Messaufbau

Einfachste Methode: Widerstandsmethode mit dem PicoScope

  1. Signalgenerator (PicoScope AWG): Dreieck oder langsame Rampe, z.B. 0--5V
  2. Vorwiderstand \(R\) (z.B. 1 kΩ) in Serie mit der Diode
  3. Kanal A: Spannung über der Diode (\(V_D\))
  4. Kanal B: Spannung über dem Widerstand (\(V_R\)) → Strom \(I = V_R / R\)
  5. XY-Modus im PicoScope: X = \(V_D\), Y = \(I\) → direkte Kennlinie

Alternative: PicoScope Math-Kanal für \(I = (V_{gen} - V_D) / R\)

Was man sehen sollte

Halblogarithmischer Plot

\(\ln(I)\) vs. \(V\) sollte eine Gerade ergeben mit Steigung \(q/(nk_BT)\). Abweichungen: - Bei niedrigen Strömen: Rekombinationsstrom (\(n \approx 2\)) - Bei hohen Strömen: Serienwiderstand (\(V\) fällt teilweise über \(R_s\) ab)

Weiterführendes


Erstellt: 13.04.2026